NCD

非晶质 In-Ga-Zn-O(IGZO)是具有卓越的均一性，以较高的 On/Off 电流比及其他非晶质氧化物半导体更高的Mobility等优秀的特性，主要用于平板显示（FPD）的 Backplane TFT用频道物质。最近用这些优秀特性的IGZO薄膜在代表性半导体存储器DRAM和NAND的TFT元件，透明折叠显示器，感应器,Logic Archecture是为应用于尖端未来电子应用领域，正在进行活跃的研究。尤其是考虑到高性能智能半导体必要的存储器元件的三维结构的话，必须要低电量及低温动作。因此急剧增加对符合特性条件IGZO TFT使用的关心。

ALD（Atomic Layer Deposition）方式不仅在低温下能提供卓越的薄膜品质，而且能提供优秀的Step coverage及薄膜密度,甚至能控制原子层单位精确组成。但是因为为了沉积现有的多原子物质IGZO的ALD工序很难控制存在金属前驱体和氧化剂，所以存在难以准确和均匀的合成比问题。
 
<Variations in transfer curves with the lapse of stress time for 104 s under PB(T)S conditions for Dev. (a) A(1:1:1) and B(1:1:3) at RT and for Dev. (c) A and (d) B at 60℃. (VGS= +20V, VDS= 10.5 V)>*

为了解决这些难题，采用独创的ALD方法,通过ALD-IGZO胶片的元件组成(In:Ga:Zn)控制ALD循环比例,从而可以获得精确目标构成的膜。
多种合成比当中组件比1：1：3的元件是在偏流安全性观点来看，现出最优秀的特性， 这是比之前以Sputter方式增配的IGZO TFT更优秀的结果。

因此,根据这一独创的ALD工艺方法,IGZO薄膜的组成控制技术被判断为是能够确保多种未来ALD-IGZO薄膜应用领域所必需的高性能及卓越稳定性的核心技术。
 
<Si wafer based batch ALD cluster system>

(株)NCD一直开发了能够个别应用领域元件想要的精确合成比控制多元氧化物IGZO的独创性技术,而且IGZO工程用高生产性Bacth ALD设备。
特别是有望确保今后IGZO薄膜的应用，如：Logic，DRAM及NAND存储半导体等复杂的3D结构元件生产方面，可以得到卓越品质竞争力，性能信赖性和高产能。