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在侧墙(Sidewall)通过原子层沉积(ALD)钝化(Passivation) Micro LED的量子效率改善

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作为新一代显示屏Micro LED受到广泛关注, 拥有优良的辉度及对比,低耗电量,出色的柔性和可靠性。这Micro LED被评价不但领先于液晶显示器(LCD), 而且领先于有机发光二极管(OLED)。因此,为了第四产业的核心要素AR/VR及可穿戴的机器和超大型显示器的应用,很多电子产品制造企业和研究所都在积极进行研究开发。要想应用于高PPI要求的产品,需要10微米以下的Micro LED,但是制造工艺过程中, 在侧墙(Sidewall)会发生光效率低下。
仔细观察上述问题的原因,Micro LED芯片需要通过每个芯片干式蚀刻使各芯片个别化的过程, 该工序中发生的化学污染及结构损伤导致光提取效果不优化, 会产生内部量子效率(IQE/EQE)底下的效果。

[ALD passivation on the sidewall of Micro LED after dry etching process]

在侧墙(Sidewall)通过原子层沉积(ALD)钝化(Passivation)的话,工序过程中发生的等离子体损伤会恢复或者删除,会提高光效率。Micro LED的尺寸越小月效果更大。特别在侧墙(Sidewall)将ALD Al2O3薄膜应用为介质钝化(Dielectric passivation)时, 可期待对优秀薄膜钝化特性的显著光效率提高。NCD为了提高Micro LED的量子效率,在侧墙(sidewall)不断开发了可以形成高品质氧化物钝化wafer base的Batch ALD系统。通过在Micro LED工序上引进该ALD设备,在AR/VR,可穿戴的机器,超大型显示器方面等,将期待为了高分辨率Micro LED的高产及优良的品质和会确保性能可靠性。

[Si wafer based batch ALD cluster system]