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为了生产LCD和OLED显示屏,一般使用了像SiNx和SiO2一样的为了无机膜沉积而使用metal Mask的 PECVD方法。
但是,等离子体工艺存在因RF电极使用的Shower head和Metal Mask之间的电气阻断不稳定,这导致等离子体acking和产生Paticle等严重问题。 因此, 为了阻止这种Metal Mask的等离子体, 需要在Mask上沉积Al2O3,Y2O3,TiO2,MgO,ZrO2等遗传材料.
一般来说,遗传层通过PVD方式Sputtering进行压模,但这种方式不仅难以均匀地覆盖大面积和复杂结构的Metal MASK,还有需要进行好多μm的沉积厚度和多次工艺的缺点。
为获得金属面膜优秀的电阻特性, Al2O3原子层沉积可能是均匀沉积大面积和复杂结构的Metal Mask的最佳方法。
原子层沉积Al2O3层的话,即使沉积厚度小于1μm的情况下,也能表现出Metal Mask优秀的电阻性和出色的等离子保护特性。
本公司(NCD)的大面积专用Demo设备中,将50nm – 200nm厚度的Al2O3层沉积的Metal Mask应用于PECVD工艺时,未发生Plasma arcing和其他损伤。
[Images of metal mask coated by ALD with Al2O3 a) before (b) after]
ALD Al2O3应用在Mask涂层时,有许多的优点。但为了实际应用的时候,需要考虑ALD设备的产量方面问题。因此,生产率高,可大面积使用的NCD的Lucida GD Series ALD设备是能够防止 PECVD工艺时Metal Mask产生的等离子体问题的最佳保护层。
(株)NCD持续开发了大面积和高生产性原子层沉积设备及技术。Display, Solar cell,半导体用ALD设备已实现商业化, 并且努力发掘Metal Mask配上优秀的等离子保护涂层等新的应用市场。
本公司(NCD) 今后将积极对应,针对多种产业开发,提供客户所需的原子层沉积设备和技术
[LucidaTM ALD system for metal mask coating]