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<Lucida M200PL-C ALD System>
本合同设备是结合3个ALD Module和用于转送Wafer的Cluster设备,可进行O-zone和等离子工艺, 是专门用于Oxide及Metal沉积的ALD设备。此外构成在能达到500度的高温用工艺腔体,不但可进行高温ALD沉积工艺,而且计划在适用多个工艺腔体中连续多种物质的工艺系统。
本合同供应的ALD设备采用NCD独创技术进行设计和制作。本社期望这次供应的ALD设备能为新的半导体尖端技术发展及技术融合做出很多贡献。
(株)NCD今后将继续通过持续的研究发展,努力成为最优秀的ALD设备的公司。