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LTPS TFT是有在表示出很快应答速度而很高的电子Mobility，所以相对于Oxide TFT比电力消耗量较大。 Operating时，LTPS TFT虽然是电力消耗量较大，然而一直使用在智能手机的OLED显示。
但是在最近穿戴机器中的TFT LTPO上适用于电力效率提高的新的技术（Low Temperature Polycrystalline Oxide）。LTPO TFT是电子移动速度快的LTPS TFT和漏气电流小的Oxide TFT合二为一的技术。在这TFT当中，Switching TFT是需要快速的开关，因此使用具有低泄漏电流的Oxide TFT，Operating TFT是需要调节光量，快速转换显示，因此使用具有高电子Mobility的LTPS TFT

智能手表主要采用黑后台(Black background)， 因为Switching电力比较高，采用LTPO TFT可减小约40%以上的耗电，所以包括苹果和多数智能机制造商正在积极开发LTPO显示屏，目标在最高级智能手机上搭载LTPO显示屏。
 目前在Oxide TFT上使用的IGZO薄膜仍以Sputtering 方式来进行沉积，这方式还存在厚度和结构均匀性问题，等离子的损坏问题，Sputter target的稳定性问题等继续成为问题。但使用Thermal ALD-IGZO的话，可以在较低的工艺温度下进行原子单位的厚度和调制控制，因为工艺中没有产生等离子体损坏，所以可以沉积高品质的薄膜。
使用在Thermal ALD方法沉积的IGZO薄膜的原子调制（In:Ga:Zn）的ALD循环比率控制，可获得以准确为目标的组成膜质。 该方法比Sputter方法, 可以精确地控制多种调制, 期望采用最适合客户Device结构的调制, 从而更方便地确保最优的特性。

（株）NCD一直开发了能够以在个别应用领域Device所希望的准确调制控制多元界氧化物IGZO的独创性技术，用于高生产性的Batch ALD设备。
尤其是在多数大面积基板上应用可沉积 ALD工艺的Lucida GD Series，目前LTPO TFTs预计会迅速应用IGZO薄膜, 我们期待它能够提供出色的品质竞争力和高生产性。