NCD

<Lucida M200PL Series ALD System>

近期NCD公司向三星电子供货ALE(Atomic layer etch)和ASD(area selective deposition)设备.
有关设备由2个Process module 和传送用 Transfer module 构成的 Cluster type 并使用工艺整合一体化程序.
拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,专为开发半导体元件的次世代的设备. 
ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指定区域原子层沉积的设备.
目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来最尖端集成元件.
NCD 期待ALE/ASD设备对未来半导体尖端技术发展有较多的贡献，并且往后也会持续不断的努力研发及突破成为最好的ALD设备制造公司.