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LucidaTM D 系列原子层沉积

为研发应用用途的原子层沉积系统

LucidaTM D series ALD

Lucida GS Series

应用范围

  • 为原子层沉积研究的薄膜制造
    : Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO 等等
  • 100~200mm 硅片
  • 适用于研发
  • 低成本

特征

  • 持有良好的厚度均匀性和共行阶段覆盖的原子层沉积超薄高-k电介质(dielectric)
  • 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的循环周期
  • 极其实现化的原子层沉积机制(行波方法)
  • 小的占用面积
  • 综合集成化的工艺单元模组
  • 简便的工艺控制
  • 缩小气体供应线的长度

技术数据

技术数据
硅片尺寸 100~200 mm
工艺温度范围 25℃ ~ 350 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片
前驱体原料 3, 加热 2 原料和 H2O source
沉积均匀性 <±2%
占用面积 950 x 700 mm
兼容性 100级洁净室
控制系统 PC控制(全自动方式)
选项 可以加热4个原料
选项 Lucida冷却器(2线路)
相关Lucida™ D系列的更详细的适用用途和技术数据