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LucidaTM M 系列原子层沉积

为研发应用用途的等离子体增强原子层沉积系统

LucidaTM M series ALD

Lucida GS Series

应用范围

  • 为等离子体增强原子层沉积研究的薄膜制造
  • 适用于研发
  • 低成本
  • 多种追加选项

特征

  • 持有良好的厚度均匀性和共行阶段覆盖的等离子体增强原子层沉积薄膜
  • 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的循环周期
  • 直接等离子体(plasma)系统
  • 综合集成化的工艺单元模组
  • 简便的工艺控制
  • 装载锁系统

技术数据

技术数据
硅片尺寸 150~300 mm
加热器温度 25℃ ~ 450 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片
前驱体原料 3, 加热 2 原料
沉积均匀性 <±2%
占用面积 2600(L) x 650(W) x 1500(H) mm(include MTB)
沉积方式 双喷淋领头式气体喷嘴
兼容性 100级洁净室
控制系统 PLC/PC 控制(全自动方式)
选项 可以加热4个原料
选项 Lucida冷却器(2线路)
相关Lucida™ M系列的更详细的适用用途和技术数据