为OLED的封止介质层用高产能原子层沉积系统 |
应用范围 |
- 镀层(Al2O3, TiO2) 为了柔性基片
- 穿透率(WVTR) of 5.3x10-5g/m2·day
(氚化水試驗 @30nm Al2O3/PEN 基片)
- OLED用封止介质层(Al2O3, TiO2)
- 为工业化大批生产的适用
|
优势 |
- 高产能 : > 30 panels/hour
- 极板尺寸 : > 6G (1500 x 1850mm2)
|
特征 |
- 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的反应气体循环周期
- 极其实现化的原子层沉积机制
- 小的占用面积
- 综合集成化的工艺单元模组
- 简便的工艺控制
|
技术数据 |
型号 |
材料 |
硅片尺寸
(mm2) |
厚度
(nm) |
产能
(wph) |
Lucida™ GD250 |
Al2O3,TiO2 |
370x470 |
30 |
>30 |
Lucida™ GD450H |
Al2O3,TiO2 |
730x460 |
30 |
>30 |
Lucida™ GD450 |
Al2O3,TiO2 |
730x920 |
30 |
>30 |
Lucida™ GD550Q |
Al2O3,TiO2 |
650x750 |
30 |
>30 |
Lucida™ GD600H |
Al2O3,TiO2 |
1500x925 |
30 |
>30 |
Lucida™ GD600 |
Al2O3,TiO2 |
1500x1850 |
30 |
>30 |
|
|
|
Process module for Lucida™ GD series
Cluster system for Lucida™ GD series
Demo version of Lucida™ GD600 |