产品介绍研发用Lucida™ P系列等离子体增强学气相沉淀
Lucida™ P系列等离子体增强学气相沉淀
为研发应用用途的等离子体增强化学气相沉淀系统
应用范围
  • a-Si, Si3N4 and SiO2 等等
  • 100~300mm 硅片
  • 适用于研发
  • 低成本
  • 多种追加选项(原位清洗)
特征
  • 等离子体增强化学气相沉淀持有良好的厚度均匀性的 Si3N4 及 SiO2 的薄膜
  • 先进的工艺kit及紧凑的反应室
  • 直接等离子体(plasma)系统
  • 小的占用面积
  • 综合集成化的工艺单元模组
  • 简便的工艺控制
  • 装载锁系统
技术数据
硅片尺寸 150~300 mm
加热器温度 25℃ ~ 450 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片
前驱体原料 3, 加热2原料
占用面积 2600(L) x 650(W) x 1500(H) mm(包括 MTB)
兼容性 100级洁净室
控制系统 PLC/PC控制(全自动方式)
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