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前驱体吸附及 净化： 想要镀膜的物质以及其所包括的前驱体在极板表面吸附。
在这过程当中由于前驱体的配位子的存在，使得在自限制的吸附过程当中一定量的分子在吸附以后吸附过程将会停止。由于前驱体间的吸附过程是通过物理吸附而进行的，因此结合力较弱，易脱落。 相反与极板吸附的前驱体的吸附过程由于是通过化学吸附进行的，因此结合力较强。与此相应在下一个阶段，即净化阶段中经物理吸附的前驱体会全部被清洗掉，而经化学吸附的前驱体将会一直保持吸附状态。
如上所述，化学吸附与物理吸附的差异使得原子层单位上的调节得以进行.
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反应体的反应以及净化：
为了做出想要的薄膜而供给反应体的话，在反应体与极板上吸附着的前驱体互相会因表面化学反应而形成薄膜，经物理吸附了的反应体与副产品会在紧接着的净化过程中被清理掉，而得到与原子层相比毫不逊色的成长。
像这样的成长过程是以一个循环而构成， 沉积速度会以配位子的大小而显现‘每普通循环在原子层以下’的特性。像这样原子层沉积是利用表面上的反应，且交替注入原料。因此即使存在沉积速度较慢的缺点，它也能展现出完美的阶段覆盖，由于沉积过程是通过表面反应而进行所以准确的前驱体与反应体的选择可使高品质的镀膜薄膜在相对低温的条件下也能够进行。
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