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IGZO是典型的oxide TFT物质,如果IGZO对比现在a-Si,它比现有的a-Si的电子移动度快20 - 50倍,而且SS(Sub-Threshold Voltage swing)特性和均一度都很优秀。
因此便于使用在大面积,比如体现在OLED TV 这种高性能交互式显示屏最合适的物质 。且也可以与ITO一同使用在透明显示屏上,IGZO是最近在OLED市场上颇受青睐。
但是,如果IGZO TFT适应在OLED上的时候,作为目前OLED薄膜封装方面使用最多的PECVD的SiNx的话,SiNx中包含的几十个百分比的 H(氢) 会打穿OLED层影响到IGZO并且扩散,由于这个原因 IGZO TFT的特性就会出现下降
< Comparison of I-V characteristic of a-IGZO TFTs with and without hydrogen diffusion >
从IGZO TFT的I-V图表中可以看出,IGZO特征的IV curve中能降低 SS slop, Ioff current上升,Vth将变成负数,TFT的特性低下
在使用IGZO TFT的OLED diplay中, 将包含氢气的 SiNx 应用于encapsulation层时,为了防止因氢气扩散导致TFT特性下降,所以需要屏障层。Al2O3的优秀层膜可以代替现有的氢气屏障膜。
但是,用等离子体的PEALD在第一个Encapsulation层上适应Al2O3的话,工艺当中发生氧气等离子体的损害阴极氧化,使TFE无法作为第一层使用。
因此,在等离子的损害方面会比较自由的和ThermalALD的Al2O3在内的encapsulation层和IGZO TFT方面可说可以成为最佳组合。
NCD公司的 Lucida GD Series是一款第六代大面积基板上的量产应对用thermal ALD batch设备,它可以防止在IGZO TFT上产生致命特性低下的氢气扩散,形成一个优秀特性的ALD-Al2O3氢气屏障层。而且,使用Al2O3/Polymer/Al2O3结构的encapsulation层作为OLED的封装膜,期待能应用到透明折叠OLED显示屏
< NCD’s LucidaTM GD Series ALD >