| 为晶硅太阳能电池的表面钝化用原子层沉积系统 |
| 应用范围 |
- 为晶硅太阳能电池的表面钝化
- 适用于研发
- 高产能
: > 500硅片/小时156 x 156㎟ with 10nm 厚度
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| 特征 |
- 持有良好的厚度均匀性的Al2O3薄膜
- 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的反应气体循环周期
- 极其实现化的原子层沉积机制
- 小的占用面积
- 综合集成化的工艺单元模组
- 简便的工艺控制
- 缩小气体供应线的长度
- 盒式操作
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| 技术数据 |
| 硅片尺寸 |
156 x 156㎟ |
| 工艺温度范围 |
25℃ ~ 250 ℃ |
| 前驱体原料 |
TMA, H2O( O3 选项) |
| 沉积均匀性 |
<±2% |
| 占用面积 |
2375 x 950 mm |
| 兼容性 |
10000级洁净室 |
| 控制系统 |
PLC和PC交互界面(全自动方式) |
| 选项 |
O3 发生器 |
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产品介绍