| 为研发应用用途的原子层沉积系统 |
| 应用范围 |
- 为原子层沉积研究的薄膜制造
: Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO 等等
- 100~200mm 硅片
- 适用于研发
- 低成本
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| 特征 |
- 持有良好的厚度均匀性和共行阶段覆盖的原子层沉积超薄高-k电介质(dielectric)
- 先进的工艺kit及紧凑的反应室, 以实现短的循环周期
- 极其实现化的原子层沉积机制(行波方法)
- 小的占用面积
- 综合集成化的工艺单元模组
- 简便的工艺控制
- 缩小气体供应线的长度
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| 技术数据 |
| 硅片尺寸 |
100~200 mm |
| 工艺温度范围 |
25℃ ~ 350 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, 里硅片 |
| 前驱体原料 |
3, 加热 2 原料和 H2O |
| 沉积均匀性 |
<±2% |
| 占用面积 |
950 x 700 mm |
| 兼容性 |
100级洁净室 |
| 控制系统 |
PC控制(全自动方式) |
| 选项 |
可以加热4个原料 |
| 选项 |
Lucida冷却器(2线路) |
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产品介绍